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沉降分析法

规范用词沉降分析法

英文对照sedimentation analysis

名词审定电子学名词审定委员会

见载刊物《电子学名词》科学出版社

公布时间1993年

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电子元器件工艺与分析技术»

等离子[体]溅射plasma sputtering
射频溅射radio frequency sputtering
磁控溅射magnetron sputtering
共溅射cosputtering
反应溅射reactive sputtering
真空蒸发vacuum evaporation
反应蒸发reactive evaporation
离子束蒸发ion beam evaporation
电子束蒸发electron beam evaporation
共蒸发coevaporation
元素靶element target
复合靶composite target
离子轰击ion bombardment
薄栅氧化层thin gate oxide
迪尔-格罗夫模型Deal-Grove model
氮氧化硅silicon oxynitride
多晶硅-硅化物栅polycide gate
多孔硅氧化隔离isolation by oxidized porous silicon;IOPS
硅化物silicide
二硅化物disilicide
硅栅silicon gate
硅栅N沟道技术silicon gate N-channel technique
硅栅自对准工艺silicon gate self-aligned technology
钼栅工艺molybdenum gate technology
难熔金属硅化物refractory metal silicide
扩散diffusion
预扩散prediffusion
自扩散self-diffusion
外扩散outdiffusion
双扩散double diffusion
间隙扩散interstitial diffusion
替位扩散substitutional diffusion
选择扩散selective diffusion
掩蔽扩散masked diffusion
场助扩散field-aided diffusion
箱法扩散box diffusion
闭管真空扩散closed ampoule vacuum diffusion
液态源扩散liquid source diffusion
气态源扩散gas source diffusion
空位流vacancy flow

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